ИС субстрат вертикаль плазма донатмасы .

ИС субстрат Вертикаль плазма донатмасы махсус аньаневий ИС къаплама джерьянларында ИС субстратларыны темизлемек ичюн, невбеттеки къаплама адымлары ичюн юксек-кейфиетли юзюни темин этмек ичюн парчачыкъларны, ягъларны ве юзюнинъ кирлендириджилерини семерели шекильде ёкъ этмек ичюн уйдурылгъан. Система сенсорлы экран ве ПЛК идареси иле толусынен автоматлаштырылгъан чалышувны дестеклей, бу исе процесс параметрлерини эр тарафлама идаре этмеге, акъикъий-вакъыт мониторингини, рецептлерни идаре этмеге ве сигнал акъкъында хаберлерни бермеге имкян бере.

Соргъу ёлламакъ .

Функциянынъ тарифи .

ИС субстрат вертикаль плазма донатмасы махсус 2019 сенеси ичюн ишлеп чыкъарылгъан.аньаневий ИС къаплама джерьянларында ИС субстратларыны темизлев, невбеттеки къаплама адымлары ичюн юксек-кейфиетли юзюни темин этмек ичюн, парчачыкъларны, ягъларны ве юзюнинъ кирлендириджилерини семерели шекильде ёкъ эте. Система ярдым эте .бутюнлей автоматлаштырылгъан иш .сенсорлы экран ве ПЛК идареси иле, бу исе процесс параметрлерини эр тарафлама идаре этмеге, акъикъий-вакъыт мониторингини, рецептлерни идаре этмеге ве сигнал акъкъында хабердарлыкъны темин этмеге имкян бере. О, тургъун, ишанчлы ве ишлетмеге къолай, ИС-нинъ къаплама джерьянларынынъ юксек-догърулыкъ ве юксек-уйгъунлыкъ талапларына джевап бере.

Эсас компонентлер (конфигурация) .

Вакуум электромагнит клапанлары .

Юксек-кейфиетСВФ маркалы электромагнит клапанлары .вакуум камеранынъ газ акъымы тез джевап берювни ве тургъун идаре этмекни темин этмек.

Басым коммутаторлары ве регуляторлар .

SMC маркалы юксек-догърулыкълы басым коммутаторлары ве регуляторларывакуум ве газ басымынынъ догъру идаресини темин этмек, процесснинъ изчен чалышувыны сакъламакъ.

Электродларнынъ дизайны .

Электродлар а 1 ден япыла.ортасы бош олгъан бир къатты алюминий левха ., сувутув каналлары исе .стратегик ерлештирильген акъынты дефлекторларынен бирлештирильген терен-тешильген тешиклерсувуткъан сувны белли бир ёлнен алып бармакъ ичюн. Бу электродларнынъ бир тюрлю араретини теминлей, плазма ишлевининъ консистенциясыны ве текрарланувыны яхшылаштыра.

Эсас къулланмалар .

Донатмалар эсасен 2019 сенеси ичюн къулланыла.ИК подложканы темизлев ., индже парчачыкъларны, къалдыкъ катранны ве органик кирлетиджилерни ёкъ этмек ичюн плазма муитини догъру идаре эте. О, ИС-нинъ къаплама махсулдарлыгъыны ве махсулатнынъ уйгъунлыгъыны арттыра. Система чешит колемли ве материаллы субстратларнен келише, электроника къаплама санайынынъ къатты темизлик ве процесс догърулыгъы талапларына джевап бере.

Техникий хусусиетлер

Вакуум севиеси .

Бакълай .20–50 Панормаль чалышув вакътында, плазма темизлевининъ тургъун муитини теминлемек.

Газ акъымы усулы .

Файдалана а .патентленген тёпе-кириш, тюп-чыкъарув дизайныкамера ичинде аванынъ бир тюрлю акъымы ве изчен темизлев нетиджелерини темин этмек ичюн акъынты дефлекторларынен.

Сувутув системасы .

Электродларны сувутув каналлары терен-тешильген тешиклер ве акъынты дефлекторларынен сувны бельгиленген ёл боюнджа идаре этмек ичюн уйдурылгъан, бу исе электродларнынъ бир тюрлю араретини темин эте ве плазма темизлевининъ тургъунлыгъыны ве текрарланувыны яхшылаштыра.

Къулланув къыймети .

ИС субстратлы вертикаль плазма донатмасы 1 .юксек семерели, тургъун ве акъыллы юзюни темизлев иляджы. Вакуум ава акъымы ве электродларнынъ сувутув дизайныны оптималлаштырмакънен, о, ИС къаплама махсулдарлыгъыны ве махсулатнынъ уйгъунлыгъыны сезилерли дереджеде юксельте, айны вакъытта процесс къусурларыны ве истисал къалдыкъларыны эксильте. Системанынъ ишлетильмеси ве хызмет этмек къолай, энергия-эффектив ве экологик джеэттен темиздир, бу исе оны махсулдарлыкъны арттырмагъа, изчен кейфиетни темин этмеге ве процесснинъ тургъунлыгъыны сакъламагъа ынтылгъан ИС-къаплама истисалджылары ичюн эсас ресурскъа чевире.

Сыджакъ Теглер .: ic подложка вертикаль плазма донатмалары, Къытай ic подложка вертикаль плазма донатмалары истисалджылары, завод